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FCD620N60ZF  与  IPD60R800CEAUMA1  区别

型号 FCD620N60ZF IPD60R800CEAUMA1
唯样编号 A-FCD620N60ZF A-IPD60R800CEAUMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 600v, 7.3a, 620mohm, n-ch, dpak CONSUMER
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 620m Ohms@3.6A,10V -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 89W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252AA PG-TO252-3
连续漏极电流Id 7.3A 8.4A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 HiPerFET™,Polar™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1135pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

暂无价格 0 当前型号
FDD5N50FTM-WS ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

NA

暂无价格 50,000 对比
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A

暂无价格 15,000 对比
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
100: ¥3.916
1,250: ¥3.564
2,500: ¥3.421
2,671 对比
IPD60R800CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R800CE_N-Channel 600V 8.4A PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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