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FCD380N60E  与  IPD65R380E6ATMA1  区别

型号 FCD380N60E IPD65R380E6ATMA1
唯样编号 A-FCD380N60E A-IPD65R380E6ATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 380 mO Surface Mount SuperFET II Easy Drive Mosfet -TO-252 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 380m Ohms@5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 106W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 710pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 10.2A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 380 毫欧 @ 3.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD380N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA

暂无价格 0 当前型号
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_6.5mm

¥8.6527 

阶梯数 价格
1: ¥8.6527
25: ¥8.0116
100: ¥7.4182
579 对比
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥8.052 

阶梯数 价格
7: ¥8.052
57 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
MSJU11N65-TP MCC  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD65R380E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380E6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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