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FCD3400N80Z  与  R6002ENDTL  区别

型号 FCD3400N80Z R6002ENDTL
唯样编号 A-FCD3400N80Z A33-R6002ENDTL
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 65pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252AA CPT3
工作温度 - 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 6.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 46
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD3400N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA

暂无价格 0 当前型号
STD4NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 25,000 对比
STD4NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,250: ¥2.211
2,500: ¥2.112
2,840 对比
R6002ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 46 对比
AOD3N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 2.5A 56.8W 3500mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STD4NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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