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FCD2250N80Z  与  STD4N80K5  区别

型号 FCD2250N80Z STD4N80K5
唯样编号 A-FCD2250N80Z A36-STD4N80K5
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-channel 800 V 3 A 2.5 Ohm Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.25 Ohms@1.3A,10V -
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 39W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252AA DPAK
连续漏极电流Id 2.6A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 260µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 585pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD2250N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA

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