FCD2250N80Z 与 STD4N80K5 区别
| 型号 | FCD2250N80Z | STD4N80K5 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FCD2250N80Z | A-STD4N80K5 |
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-channel 800 V 3 A 2.5 Ohm Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.25 Ohms@1.3A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 800V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 39W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-252AA | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 2.6A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | SuperFET® II | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 260µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 585pF @ 100V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCD2250N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD4N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
|
AOD4N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 104W 2300mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STD4N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPD80R2K0P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
2000mΩ 800V 3A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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