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FCD2250N80Z  与  IPD80R2K0P7  区别

型号 FCD2250N80Z IPD80R2K0P7
唯样编号 A-FCD2250N80Z A-IPD80R2K0P7
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.25 Ohms@1.3A,10V 2000mΩ
漏源极电压Vds 800V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 39W(Tc) -
Rth - 5.1K/W
栅极电压Vgs ±20V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 4.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-252AA DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id 2.6A 3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 260µA -
Ptot max - 24.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 585pF @ 100V -
QG - 9.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD2250N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA

暂无价格 0 当前型号
AOD4N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 104W 2300mΩ@10V

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IPD80R2K0P7ATMA1_2000mΩ 800V 3A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

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