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EMH4T2R  与  RN1911FETE85LF  区别

型号 EMH4T2R RN1911FETE85LF
唯样编号 A-EMH4T2R A-RN1911FETE85LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 EMH4 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 100mW
特征频率fT 250MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 10 千欧
封装/外壳 SOT-563 ES6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO 50V -
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 250MHz
VEBO 5V -
集电极连续电流 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN 2 个 NPN 预偏压式(双)
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 66 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥2.7327
100+ :  ¥1.5495
1,000+ :  ¥0.7933
4,000+ :  ¥0.5379
8,000+ :  ¥0.4066
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EMH4T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563

¥2.7327 

阶梯数 价格
1: ¥2.7327
100: ¥1.5495
1,000: ¥0.7933
4,000: ¥0.5379
8,000: ¥0.4066
66 当前型号
DDC114TH-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-563

¥0.6071 

阶梯数 价格
90: ¥0.6071
200: ¥0.3913
1,500: ¥0.3406
2,432 对比
PEMH4,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PEMH4_SOT-666

¥0.7645 

阶梯数 价格
750: ¥0.7645
1,000: ¥0.5926
2,000: ¥0.4857
4,000: ¥0.4298
0 对比
RN1911FETE85LF Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6

暂无价格 0 对比
DDC114TH-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-563

暂无价格 0 对比

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