首页 > 商品目录 > > > > EM6K7T2CR代替型号比较

EM6K7T2CR  与  VT6K1T2CR  区别

型号 EM6K7T2CR VT6K1T2CR
唯样编号 A-EM6K7T2CR A33-VT6K1T2CR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2Ω@200mA,2.5V 3.5Ω
上升时间 - 4ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 150mW 150mW
栅极电压Vgs ±8V 300mV
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 2N-Channel -
封装/外壳 SOT-563 VMT-6
连续漏极电流Id 200mA(Ta) 100mA
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 - VT6K1
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
下降时间 - 38ns
典型接通延迟时间 - 5ns
库存与单价
库存 100 932
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥1.7623
100+ :  ¥0.9411
8,000+ :  ¥0.6804
250+ :  ¥0.6166
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EM6K7T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

200mA(Ta) 2N-Channel 1.2Ω@200mA,2.5V ±8V 150mW SOT-563 150°C(TJ) 20V

¥1.7623 

阶梯数 价格
1: ¥1.7623
100: ¥0.9411
8,000: ¥0.6804
100 当前型号
VT6K1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

100mA 150mW 3.5Ω 20V 300mV VMT-6 -55°C~150°C

暂无价格 32,100 对比
VT6K1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

100mA 150mW 3.5Ω 20V 300mV VMT-6 -55°C~150°C

¥0.6166 

阶梯数 价格
250: ¥0.6166
932 对比
VT6K1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

100mA 150mW 3.5Ω 20V 300mV VMT-6 -55°C~150°C

¥1.3339 

阶梯数 价格
1: ¥1.3339
100: ¥0.7123
8,000: ¥0.515
100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售