DTD543ZETL 与 DTC143ZET1G 区别
| 型号 | DTD543ZETL | DTC143ZET1G | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DTD543ZETL | A36-DTC143ZET1G | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||
| 功率 | - | 1/5W | ||
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | - | 80 @ 5mA,10V | ||
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | - | 250mV @ 1mA,10mA | ||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 50V | ||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA | ||
| 封装/外壳 | SOT-416 | SOT-416 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| Power-Max | - | 200mW | ||
| 晶体管类型 | NPN | - | ||
| R1 | 4.7K Ohms | - | ||
| R2 | 47K Ohms | - | ||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||
| 特征频率fT | 260MHz | - | ||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 4.7k | ||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 47K Ohms | ||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 1mA,10mA | ||
| FET类型 | - | NPN | ||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 80 @ 5mA,10V | ||
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | - | 4.7k | ||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||
| 集电极连续电流 | 500mA | - | ||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | - | 47K Ohms | ||
| 直流电流增益hFE | 140 | - | ||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 12V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 371 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DTD543ZETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 12V 500mA 300mV 140 260MHz NPN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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DDTC113ZE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
￥0.231
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9,204 | 对比 | ||||||||
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DTC143ZET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 |
￥0.2115
|
371 | 对比 | ||||||||
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DDTC143ZE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 100mA 80 250MHz NPN |
￥0.605
|
369 | 对比 |
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