DTD113ZUT106 与 DDTD113ZU-7-F 区别
| 型号 | DTD113ZUT106 | DDTD113ZU-7-F | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-DTD113ZUT106 | A36-DDTD113ZU-7-F | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||||
| R2 | 10K Ohms | 10k Ohms | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| 特征频率fT | 200MHz | 200 MHz | ||||||||||
| 集电极连续电流 | 500mA | 500mA | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 300mV | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 82 | 56 | ||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | 50V | ||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||
| R1 | 1K Ohms | 1k Ohms | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 96 | 1,196 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DTD113ZUT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 500mA 300mV 82 200MHz NPN |
￥2.2156
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96 | 当前型号 | ||||||||||||
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RN1314(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 NPN 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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7,067 | 对比 | ||||||||||||
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PDTC143ZU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz NPN |
￥0.7513
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2,891 | 对比 | ||||||||||||
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DDTD113ZU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 56 SOT-323 200mW 50V 500mA 200 MHz NPN |
￥0.6019
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1,196 | 对比 | ||||||||||||
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DDTC143ZUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA 80 250MHz NPN |
暂无价格 | 49 | 对比 | ||||||||||||
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PDTD113ZUX | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 320mW 50V 500mA 300mV 70 车规 NPN |
暂无价格 | 35 | 对比 |
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