DTC114YCA-TP 与 MMUN2214LT1G 区别
| 型号 | DTC114YCA-TP | MMUN2214LT1G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-DTC114YCA-TP | A36-MMUN2214LT1G | ||||||||
| 制造商 | MCC | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 230mW | - | ||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA | ||||||||
| 功率 | - | 0.246W | ||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | 带阻/预偏置 | ||||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 10k | ||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 47K Ohms | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 250mV @ 300µA,10mA | ||||||||
| 标准包装数量 | 3000 | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 80 @ 5mA,10V | ||||||||
| 系列 | DTC114 | - | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 15,000 | 133,813 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DTC114YCA-TP | MCC | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23-3 NPN 230mW 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 15,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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MMUN2214LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 NPN 带阻/预偏置 |
￥0.6756
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133,813 | 对比 | ||||||||||||
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DTC114YKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 70mA NPN |
￥0.7938
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130,304 | 对比 | ||||||||||||
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DTC114YKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 70mA NPN |
￥0.9265
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18,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTC114YKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 70mA NPN |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDTC114YCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW 50V 70mA NPN |
￥0.8196
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14,948 | 对比 |
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