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DTA114YUAT106  与  RN2307(TE85L,F)  区别

型号 DTA114YUAT106 RN2307(TE85L,F)
唯样编号 A-DTA114YUAT106 A33-RN2307(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 47K Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
功率 - 100 mW
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极(R2) - 47 kOhms
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
产品特性 - 带阻/预偏置
集电极-射极饱和电压 -300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100 mA
电阻器-基极(R1) - 10 kOhms
封装/外壳 SOT-323 SC-70
电压-集射极击穿(最大值) - 50 V
工作温度 -55°C~150°C -
集电极电流Ic -100mA -
频率-跃迁 - 200 MHz
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
集电极-发射极Vceo -50V -
直流电流增益hFE 68 -
晶体管类型 PNP PNP
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 100 8
工厂交货期 3 - 5天 28 - 35天
单价(含税)
1+ :  ¥0.488
100+ :  ¥0.2606
3,000+ :  ¥0.1884
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTA114YUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -100mA PNP

¥0.488 

阶梯数 价格
1: ¥0.488
100: ¥0.2606
3,000: ¥0.1884
100 当前型号
RN2311(TE85L,F) Toshiba  数据手册 BJT三极管

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¥0.4114 

阶梯数 价格
370: ¥0.4114
2,000: ¥0.3879
2,740 对比
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SOT-323 200mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置

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SOT-323 200mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置

¥0.376 

阶梯数 价格
5: ¥0.376
100: ¥0.2785
1,000: ¥0.2063
1,500: ¥0.1691
3,000: ¥0.147
120 对比
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SOT-323 200mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置

¥0.2903 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.2903
0 对比

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