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DMTH6010LPS-13  与  BSZ099N06LS5ATMA1  区别

型号 DMTH6010LPS-13 BSZ099N06LS5ATMA1
唯样编号 A-DMTH6010LPS-13 A-BSZ099N06LS5ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060 MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 36W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta),136W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2090 pF @ 30 V 1300pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.5A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 14uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.1nC @ 4.5V
驱动电压 4.5V,10V -
FET功能 - 标准
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.9 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 46A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta),136W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 13.5A(Ta),100A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta),136W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 13.5A(Ta),100A(Tc) 车规

¥5.984 

阶梯数 价格
9: ¥5.984
100: ¥4.983
1,250: ¥4.532
2,354 对比
BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ099N06LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC100N06LS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta),136W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 13.5A(Ta),100A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
BSC094N06LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC094N06LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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