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DMTH6009LK3-13  与  IPD50N06S409ATMA1  区别

型号 DMTH6009LK3-13 IPD50N06S409ATMA1
唯样编号 A-DMTH6009LK3-13 A-IPD50N06S409ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 14.2A MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),60W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3785pF @ 25V
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 14.2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1925pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33.5nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.2W(Ta),60W(Tc) 10mΩ@13.5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 14.2A

暂无价格 0 当前型号
IRFR1018EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR3607TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRF60R217 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.9mΩ@35A,10V N-Channel 60V 58A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR7746PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11.2mΩ@35A,10V N-Channel 75V 59A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 0 对比
IPD50N06S409ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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