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DMTH6004SPS-13  与  BSC034N06NSATMA1  区别

型号 DMTH6004SPS-13 BSC034N06NSATMA1
唯样编号 A-DMTH6004SPS-13 A-BSC034N06NSATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),74W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),167W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 3000pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.3V @ 41uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3GATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-1

¥74.9344 

阶梯数 价格
3: ¥74.9344
10: ¥21.5509
50: ¥17.5933
100: ¥16.798
500: ¥16.2039
1,000: ¥15.811
2,000: ¥15.7344
4,000: ¥15.6769
5,000 对比
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暂无价格 0 对比

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