首页 > 商品目录 > > > DMTH6004SK3Q-13代替型号比较

DMTH6004SK3Q-13  与  IPD90N06S4L05ATMA2  区别

型号 DMTH6004SK3Q-13 IPD90N06S4L05ATMA2
唯样编号 A-DMTH6004SK3Q-13 A-IPD90N06S4L05ATMA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 107W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 8180pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 60uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.6 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥5.577 

阶梯数 价格
9: ¥5.577
100: ¥4.653
1,250: ¥4.224
1,595 对比
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N06S4L-05_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD90N06S4L-05 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD90N06S4L05ATMA2_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售