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DMTH6004SK3-13  与  IPD053N06NATMA1  区别

型号 DMTH6004SK3-13 IPD053N06NATMA1
唯样编号 A-DMTH6004SK3-13 A-IPD053N06NATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252 MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),83W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 2000pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 36uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.3 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD053N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06N_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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TK4R4P06PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

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DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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IPD053N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06NATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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