首页 > 商品目录 > > > DMTH6004SK3-13代替型号比较

DMTH6004SK3-13  与  DMTH6004SK3Q-13  区别

型号 DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3Q-13
唯样编号 A-DMTH6004SK3-13 A-DMTH6004SK3Q-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252 MOSFET N-CH 60V 100A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 100A(Tc)
驱动电压 10V 10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 3.9W(Ta),180W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V 3.8mΩ@90A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 4556 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V 95.4 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD053N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06N_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK4R4P06PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD053N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06NATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售