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DMTH6004SCT  与  IRFB3306PBF  区别

型号 DMTH6004SCT IRFB3306PBF
唯样编号 A-DMTH6004SCT A36-IRFB3306PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),136W(Tc) 230W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.65mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 160A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC
库存与单价
库存 0 5,539
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.718
100+ :  ¥2.97
1,000+ :  ¥2.75
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