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DMTH6004SCT  与  IRF2805PBF  区别

型号 DMTH6004SCT IRF2805PBF
唯样编号 A-DMTH6004SCT A-IRF2805PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Single N-Channel 55 V 4.7 mOhm 230 nC 330 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.7mΩ@104A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),136W(Tc) 330W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.65mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 75A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5110pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5110pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W(Ta),136W(Tc) ±20V TO-220-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
AOT262L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AUIRFBA1405 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 95A(Tc) ±20V 330W(Tc) 5mΩ@101A,10V -40°C~175°C(TJ) SUPER220 车规

暂无价格 0 对比
IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) 4.2mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 160A 60V TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB3077 Infineon  数据手册 功率MOSFET

3.3mΩ 75V TO-220 N-Channel 20V 210A

暂无价格 0 对比
IRF2805PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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