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DMTH6004SCTB-13  与  IRF1405PBF  区别

型号 DMTH6004SCTB-13 IRF1405PBF
唯样编号 A-DMTH6004SCTB-13 A32-IRF1405PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB Single N-Channel 55 V 330 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.3mΩ@101A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 4.7W(Ta),136W(Tc) 330W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-263 TO-220AB
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 169A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
库存与单价
库存 0 60
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.5317
25+ :  ¥1.3205
50+ :  ¥1.1385
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
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800: ¥10.4075
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TO-220AB

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
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TO-220AB

¥9.6016 

阶梯数 价格
20: ¥9.6016
50: ¥9.4195
78 对比
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.5317 

阶梯数 价格
1: ¥1.5317
25: ¥1.3205
50: ¥1.1385
60 对比
IRF3805S Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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