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DMTH6004SCTB-13  与  IRF3805S  区别

型号 DMTH6004SCTB-13 IRF3805S
唯样编号 A-DMTH6004SCTB-13 A-IRF3805S
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 4.7W(Ta),136W(Tc) 330W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 75A(Tc)
驱动电压 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
4,800 对比
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.739
245 对比
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥9.6016 

阶梯数 价格
20: ¥9.6016
50: ¥9.4195
78 对比
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.5317 

阶梯数 价格
1: ¥1.5317
25: ¥1.3205
50: ¥1.1385
60 对比
IRF3805S Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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