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DMTH4005SK3Q-13  与  IRF40R207  区别

型号 DMTH4005SK3Q-13 IRF40R207
唯样编号 A-DMTH4005SK3Q-13 A-IRF40R207
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 95A TO252 IRF40R207 Series 40 V 5.1 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.1mΩ@55A,10V
漏源极电压Vds 40V 90V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),100W(Tc) 83W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3062 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 49.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252,(D-Pak)
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 95A(Tc) 90A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2110pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2110pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4005SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRF40R207 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比
DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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