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DMTH4005SK3-13  与  IPD90N04S4L-04  区别

型号 DMTH4005SK3-13 IPD90N04S4L-04
唯样编号 A-DMTH4005SK3-13 A-IPD90N04S4L-04
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 95A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.2mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),100W(Tc) 71W
Qg-栅极电荷 - 60nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3062 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V,16V
典型关闭延迟时间 - 22ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 49.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 95A(Tc) 90A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS-T2
驱动电压 10V -
长度 - 6.5mm
下降时间 - 28ns
典型接通延迟时间 - 7ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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