首页 > 商品目录 > > > DMTH4004LK3Q-13代替型号比较

DMTH4004LK3Q-13  与  TK80S04K3L(T6L1,NQ  区别

型号 DMTH4004LK3Q-13 TK80S04K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-DMTH4004LK3Q-13 A-TK80S04K3L(T6L1,NQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO252 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 100W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3mΩ@50A,10V 3.1 毫欧 @ 40A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4450 pF @ 25 V 4340 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 83 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK+
工作温度 -55℃~175℃(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 80A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4004LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 6,000 对比
DMTH4004LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-5,Dpak,TO-252AD

暂无价格 0 对比
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售