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DMTH4004LK3Q-13  与  DMTH4004LK3-13  区别

型号 DMTH4004LK3Q-13 DMTH4004LK3-13
唯样编号 A-DMTH4004LK3Q-13 A-DMTH4004LK3-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 3.9W(Ta),180W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4450 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 83 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-5,Dpak,TO-252AD
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 100A
系列 - 汽车级,AEC-Q101
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 83nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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