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DMTH4004LK3-13  与  TK3R1P04PL,RQ  区别

型号 DMTH4004LK3-13 TK3R1P04PL,RQ
唯样编号 A-DMTH4004LK3-13 A-TK3R1P04PL,RQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@50A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 87W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.1 毫欧 @ 29A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4670 pF @ 20 V
Vgs(th) - 2.4V @ 500uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 60 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-5,Dpak,TO-252AD DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 100A 58A(Tc)
系列 汽车级,AEC-Q101 -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4450pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 83nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4004LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-5,Dpak,TO-252AD

暂无价格 0 当前型号
TK3R1P04PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
DMTH4004LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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