首页 > 商品目录 > > > > DMT8012LFG-7代替型号比较

DMT8012LFG-7  与  DMT8012LFG-13  区别

型号 DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-13
唯样编号 A-DMT8012LFG-7 A-DMT8012LFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 9.5A 9.5A(Ta),35A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 6V,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) - 2.2W(Ta),30W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 16mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1949 pF @ 40 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 34 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 当前型号
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ123N08NS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMT8012LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
BSZ123N08NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ123N08NS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售