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DMT8012LFG-13  与  BSZ123N08NS3GATMA1  区别

型号 DMT8012LFG-13 BSZ123N08NS3GATMA1
唯样编号 A-DMT8012LFG-13 A-BSZ123N08NS3GATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),66W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),30W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1949 pF @ 40 V 1700pF @ 40V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A(Ta),35A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 33uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
驱动电压 6V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12.3 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 80V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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PowerDI3333-8

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