首页 > 商品目录 > > > DMT6009LFG-13代替型号比较

DMT6009LFG-13  与  IRFH7787  区别

型号 DMT6009LFG-13 IRFH7787
唯样编号 A-DMT6009LFG-13 A-IRFH7787
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ
漏源极电压Vds 60V 75V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2.08W(Ta),19.2W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
Qgd - 23.0nC
封装/外壳 PowerDI3333-8 PQFN 5 x 6 E
Mounting - SMD
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 11A(Ta),34A(Tc) 68A
驱动电压 4.5V,10V -
Ptot max - 83.0W
QG - 75.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.41
RthJC max - 1.5K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
IRFH7787 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6E

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售