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DMT6009LCT  与  IRF2807PBF  区别

型号 DMT6009LCT IRF2807PBF
唯样编号 A-DMT6009LCT A36-IRF2807PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13mΩ
Qg-栅极电荷 - 106.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V 20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 37.2A(Tc) 82A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3820pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),25W(Tc) 200W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@13.5A,10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3820pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 160nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 160nC @ 10V
库存与单价
库存 0 917
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.828
50+ :  ¥2.948
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF2807PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥3.828 

阶梯数 价格
20: ¥3.828
50: ¥2.948
917 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
100: ¥3.806
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FQP30N06L ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥1.9286 

阶梯数 价格
1: ¥1.9286
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TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRFZ48V Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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