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DMT6008LFG-7  与  TPH5R906NH,L1Q  区别

型号 DMT6008LFG-7 TPH5R906NH,L1Q
唯样编号 A-DMT6008LFG-7 A-TPH5R906NH,L1Q
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),41W(Tc) 1.6W(Ta),57W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@20A,10V 5.9 毫欧 @ 14A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2713 pF @ 30 V 3100 pF @ 30 V
Vgs(th) - 4V @ 300uA
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 50.4 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-SOP Advance(5x5)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A(Ta),60A(Tc) 28A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ067N06LS3 G_8-PowerVDFN

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TPH5R906NH,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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PowerDI3333-8

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