首页 > 商品目录 > > > DMT6008LFG-13代替型号比较

DMT6008LFG-13  与  DMT6008LFG-7  区别

型号 DMT6008LFG-13 DMT6008LFG-7
唯样编号 A-DMT6008LFG-13 A-DMT6008LFG-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 13A(Ta),60A(Tc) 13A(Ta),60A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),41W(Tc) 2.2W(Ta),41W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@20A,10V 7.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2713 pF @ 30 V 2713 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 50.4 nC @ 10 V 50.4 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
1,000: ¥2.453
2,000: ¥2.31
3,990 对比
BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ067N06LS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
BSZ076N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ076N06NS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
BSZ067N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ067N06LS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售