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DMT6004SPS-13  与  BSC028N06NS  区别

型号 DMT6004SPS-13 BSC028N06NS
唯样编号 A-DMT6004SPS-13 A-BSC028N06NS
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ
上升时间 - 38ns
Qg-栅极电荷 - 37nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 50S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 23A(Ta) 100A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
下降时间 - 8ns
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 83W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@50A,10V -
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
驱动电压 10V -
典型接通延迟时间 - 11ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 2.5W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 23A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
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暂无价格 0 对比

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