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DMT6004SPS-13  与  BSC027N06LS5  区别

型号 DMT6004SPS-13 BSC027N06LS5
唯样编号 A-DMT6004SPS-13 A-BSC027N06LS5
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 1.1V,2.3V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
Pin Count - 8.0Pins
封装/外壳 PowerDI5060-8 SuperSO8
Mounting - SMD
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55.0°C
连续漏极电流Id 23A(Ta) 100A
驱动电压 10V -
Ptot max - 83.0W
QG - 24.0nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 2.5W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 23A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSTATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC027N06LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC028N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NSATMA1_60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC027N06LS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC027N06LS5ATMA1_60V 100A SuperSO8 3.9mΩ -55.0°C N-Channel 1.1V,2.3V

暂无价格 0 对比

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