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DMT6004SCT  与  IPP029N06N  区别

型号 DMT6004SCT IPP029N06N
唯样编号 A-DMT6004SCT A3-IPP029N06N
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 66nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 80S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A(Tc) 100A
配置 - Single
长度 - 10mm
下降时间 - 8ns
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),113W(Tc) 136W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.65mΩ@100A,10V -
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS5
驱动电压 10V -
典型接通延迟时间 - 17ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFB7537PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO220

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.739
755 对比
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_TO-220-3

¥13.783 

阶梯数 价格
4: ¥13.783
10: ¥11.484
401 对比
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP029N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP029N06NAKSA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPP037N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP037N06L3GXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

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