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DMT6004SCT  与  IPP034NE7N3GXKSA1  区别

型号 DMT6004SCT IPP034NE7N3GXKSA1
唯样编号 A-DMT6004SCT A-IPP034NE7N3GXKSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 214W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),113W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.65mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 8130pF @ 37.5V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 155uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFB7537PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO220

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.739
755 对比
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_TO-220-3

¥13.783 

阶梯数 价格
4: ¥13.783
10: ¥11.484
401 对比
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP029N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP029N06NAKSA1_10mm

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IPP037N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP037N06L3GXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

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