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DMT34M1LPS-13  与  IRFH8318TRPBF  区别

型号 DMT34M1LPS-13 IRFH8318TRPBF
唯样编号 A-DMT34M1LPS-13 A-IRFH8318TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2242 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 39 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 PQFN(5x6)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 27A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3180pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3180pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
IRFH8318TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥2.068
1,000: ¥1.837
2,000: ¥1.738
3,098 对比
BSC030N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
IRFH8318TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC030N03MS G Infineon 功率MOSFET

BSC030N03MSGATMA1_5.9mm

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