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DMT32M5LFG-13  与  IRFH8307  区别

型号 DMT32M5LFG-13 IRFH8307
唯样编号 A-DMT32M5LFG-13 A-IRFH8307
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ 2.1mΩ
上升时间 13.2ns -
Qg-栅极电荷 67.7nC -
栅极电压Vgs 1V 20V
封装/外壳 8-PowerVDFN PQFN 5 x 6 B/G
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 100A 33A
配置 Single -
Ptot max - 156.0W
QG - 50.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 23.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4066pF @ 15V -
Budgetary Price €€/1k - 0.52
RthJC max - 0.8K/W
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.6W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 50W -
典型关闭延迟时间 37.4ns -
FET类型 - N-Channel
Qgd - 16.0nC
Mounting - SMD
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 7.2ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 67.7nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT32M5LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN 100A 50W 1.4mΩ 30V 1V

暂无价格 0 当前型号
IRFH5300TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.4mΩ@50A,10V N-Channel 30V 40A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6544 AOS 功率MOSFET

60A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±20V 1.4 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 7.4W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AON6780 AOS 功率MOSFET

30A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±12V 1.7 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.5W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 2.3W(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 30A(Ta)

暂无价格 0 对比
IRFH8307 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V PQFN 5 x 6 B/G 2.1mΩ N-Channel 20V 33A

暂无价格 0 对比

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