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DMT31M6LPS-13  与  BSC0500NSIATMA1  区别

型号 DMT31M6LPS-13 BSC0500NSIATMA1
唯样编号 A-DMT31M6LPS-13 A-BSC0500NSIATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.35mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3300pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 35.8A(Ta) -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.3 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7019pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
系列 汽车级,AEC-Q101 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7019pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 35A(Ta),100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 35.8A(Ta) 1.35mΩ@20A,10V

暂无价格 0 当前型号
BSC0500NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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BSC0500NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0500NSIATMA1_30V 100A SuperSO8 1.7mΩ -55.0°C N-Channel 1.2V,2V

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