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DMT31M6LPS-13  与  BSC0500NSI  区别

型号 DMT31M6LPS-13 BSC0500NSI
唯样编号 A-DMT31M6LPS-13 A-BSC0500NSI
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.35mΩ@20A,10V 1.7mΩ
Ciss - 2500.0pF
Rth - 1.8K/W
Coss - 850.0pF
栅极电压Vgs ±20V 1.2V,2V
RthJA max - 50.0K/W
封装/外壳 8-PowerTDFN SuperSO8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55.0°C
连续漏极电流Id 35.8A(Ta) 100A
Ptot max - 69.0W
QG - 18.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7019pF @ 15V -
Budgetary Price €€/1k - 0.58
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 8.0Pins
Mounting - SMD
系列 汽车级,AEC-Q101 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7019pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 35.8A(Ta) 1.35mΩ@20A,10V

暂无价格 0 当前型号
BSC0500NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0500NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC0500NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0500NSIATMA1_30V 100A SuperSO8 1.7mΩ -55.0°C N-Channel 1.2V,2V

暂无价格 0 对比

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