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DMT3006LFV-13  与  RQ3E150GNTB  区别

型号 DMT3006LFV-13 RQ3E150GNTB
唯样编号 A-DMT3006LFV-13 A33-RQ3E150GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.1mΩ@15A,10V
上升时间 - 5.8ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 15.3nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7mΩ@9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1155 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 34.4ns
正向跨导 - 最小值 - 13.5S
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A(Tc) 15A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 7.8ns
典型接通延迟时间 - 11.6ns
库存与单价
库存 0 1,449
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥1.9261
100+ :  ¥1.7153
500+ :  ¥1.7153
1,000+ :  ¥1.7057
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.7153
500: ¥1.7153
1,000: ¥1.7057
1,449 对比
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 226 对比
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 200 对比
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.297 

阶梯数 价格
1: ¥6.297
100: ¥3.6397
1,500: ¥2.3076
3,000: ¥1.6684
84 对比
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 80 对比

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