首页 > 商品目录 > > > > DMT3004LPS-13代替型号比较

DMT3004LPS-13  与  BSC052N03LSATMA1  区别

型号 DMT3004LPS-13 BSC052N03LSATMA1
唯样编号 A-DMT3004LPS-13 A-BSC052N03LSATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),28W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 770pF @ 15V
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 PowerDI 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 21A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta),57A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI N-Channel 30V 21A

暂无价格 0 当前型号
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSZ0506NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0506NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_30V 57A 5.2mΩ 10V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSZ0506NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0506NSATMA1_30V 40A 5.3mΩ -55.0°C N-Channel 1.2V,2V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售