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DMT10H015LCG-13  与  IRFH5110TRPBF  区别

型号 DMT10H015LCG-13 IRFH5110TRPBF
唯样编号 A-DMT10H015LCG-13 A-IRFH5110TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN Single N-Channel 100 V 3.6 W 48 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.4mΩ@37A,10V
漏源极电压Vds 100V 10V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 3.6W(Ta),114W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 V-DFN3333-8 PQFN(5x6)
工作温度 -55℃~155℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),34A(Tc) 11A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3152pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3152pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

V-DFN3333-8

暂无价格 0 当前型号
IRFH5210TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

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