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DMT10H015LCG-13  与  DMT10H015LCG-7  区别

型号 DMT10H015LCG-13 DMT10H015LCG-7
唯样编号 A-DMT10H015LCG-13 A-DMT10H015LCG-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 V-DFN3333-8 V-DFN3333-8
工作温度 -55℃~155℃(TJ) -55℃~155℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),34A(Tc) 9.4A(Ta),34A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@20A,10V 15mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V 1871 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V 33.3 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

V-DFN3333-8

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