首页 > 商品目录 > > > DMT10H015LCG-13代替型号比较

DMT10H015LCG-13  与  AON6450  区别

型号 DMT10H015LCG-13 AON6450
唯样编号 A-DMT10H015LCG-13 A-AON6450
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2.3W(Ta),83W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 V-DFN3333-8 8-DFN(5x6)
工作温度 -55℃~155℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),34A(Tc) 9A(Ta),52A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
栅极电荷Qg - 52nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

V-DFN3333-8

暂无价格 0 当前型号
IRFH5210TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH5110TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

V-DFN3333-8

暂无价格 0 对比
AON6450 AOS 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH7110TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5.85mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售