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DMT10H010LCT  与  AUIRFB4410  区别

型号 DMT10H010LCT AUIRFB4410
唯样编号 A-DMT10H010LCT A-AUIRFB4410
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB4410, 88 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V 10mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 98A 88A
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 50V 5150pF
高度 - 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),139W(Tc) 200W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 24 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V 180nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H010LCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta),139W(Tc) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 98A

暂无价格 0 当前型号
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 7,000 对比
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥11.0802 

阶梯数 价格
20: ¥11.0802
50: ¥9.0821
0 对比
AUIRFB4410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 88A 10mΩ 200W 车规

暂无价格 0 对比
PSMN012-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80PS_SOT78 N-Channel 148W 175℃ 3V 80V 74A

¥7.9549 

阶梯数 价格
20: ¥7.9549
50: ¥6.5204
0 对比

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