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DMP6250SE-13  与  BSP170PH6327XTSA1  区别

型号 DMP6250SE-13 BSP170PH6327XTSA1
唯样编号 A-DMP6250SE-13 A-BSP170PH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@1A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta),14W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.1A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 551pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 300 毫欧 @ 1.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.9A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta),14W(Tc) 250mΩ@1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.1A

暂无价格 0 当前型号
BSP315P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP315PH6327XTSA1_-60V -1.17A 800mΩ@-1.17A,-10V ±20V 1.8W P-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规

暂无价格 1,000 对比
NDT2955 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA

¥2.024 

阶梯数 价格
30: ¥2.024
100: ¥1.628
165 对比
BSP315PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP315P H6327_P 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSP170PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP170P H6327_P 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSP171P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP171PH6327XTSA1_60V 1.9A 450mΩ -4.5V 1.8W P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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