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DMP6185SK3-13  与  NTD2955T4G  区别

型号 DMP6185SK3-13 NTD2955T4G
唯样编号 A-DMP6185SK3-13 A3-NTD2955T4G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 55W(Tj)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 150mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 708 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,Dpak,SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A(Tc) 12A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6185SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.6W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 9.4A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥3.135 

阶梯数 价格
20: ¥3.135
100: ¥2.409
1,250: ¥2.101
2,500: ¥2.002
2,520 对比
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9024N Infineon  数据手册 功率MOSFET

175mΩ -55V DPAK (TO-252) P-Channel 20V 11A

暂无价格 0 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比

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