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DMP6185SEQ-13  与  STN3P6F6  区别

型号 DMP6185SEQ-13 STN3P6F6
唯样编号 A-DMP6185SEQ-13 A-STN3P6F6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223 MOSFET P-CH 60V SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-223 SOT-223-4
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 3A(Ta) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 150mΩ@2.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 708 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6185SEQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 当前型号
STN3P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-223-4

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